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IGBT 如何防止静电击穿?

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深圳逸盛通科技河北快3走势图

时间 : 2018-09-21 21:04 浏览量 : 37

IGBT 如何防止静电击穿


IGBT在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断产生瞬间尖峰电压,如果尖峰电压超过IGBT的最高峰值电压,将造成IGBT击穿损坏,过压损坏可分为集电极-栅极过压,栅极-发射极过电压,高du/dt过电压。对于du/dt所导致的过压故障,基本上采用无感电容或RCD吸收,由于设计吸收容量不够而造成损坏,可以采用电压钳位,往往在集电极-栅极两端并联齐纳二极管,采用栅极电压动态控制,当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时,超出的电压将叠加在栅极上,避免了IGBT因受集电极-发射极过压而损坏。


在GE开路时,若在集电极-发射极间加上电压,随着集电极电位的变化,由于漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过,如果此时集电极-发射极处于高电压状态,可能使芯片发热而损坏,这种情况下,若在主回路上加上电压也将导致IGBT损坏,应在IGBT的栅极-发射极之间接一个10K左右的电阻。


手勿接触驱动端子部分,在使用导电材料连接模块的驱动端子时,在配线未布好之前先不要接模块,否则易造成静电损伤。(英飞凌igbt厂家



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