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电磁炉IGBT损坏八大原因

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深圳逸盛通科技河北快3走势图

时间 : 2018-11-01 20:33 浏览量 : 37

IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt


电磁炉IGBT损坏八大原因


在电磁炉中,IGBT是一个损坏占有率很大,在没有查明故障原因的 时候就试机,回引起IGBT在次损坏在电磁炉的维修中,经过不端的终结,归纳出电磁炉的八大原因。


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原因1、0.3UF电容失效,或漏电, 和400V电容 容量变小的时候,将导致电磁炉,LC震荡电路频率偏高 

从而引起IGBT损坏。经检查其他元件无问题的时候 ,更换0。3UF 和400V电容。 


原因2、IGBT管激励电路异常, 

震荡电路输出的脉冲信号,不能直接控制IGBT 饱和,导通 和截止,必须通过激励脉冲信号放大来完成。如果激励信号出现问题,高电压就回加到IGBT管的G级,导致IGBT瞬间击穿,损坏,常见的有驱动管S8050和S8550。


原因3、同步电路异常,同步电路在电磁炉中的主要作用是保证加到IGBT管G级上的开关脉冲前言与IGBT管上VCE脉冲后延同步当同步电路工作出现异样,导致IGBT管瞬间击穿。 


原因4、18V工作电压异常,在电磁炉中18V电压出现时,会使IGBT管激励电路,风扇散热系统及LM339工作失常导致IGBT上电瞬间损坏。


原因5、散热系统异常。电磁炉工作在大电流状态下,其发热量也大,如果散热系统出现异常,会导致IGBT过热损坏。 


原因6、单片机异常。单片机内部会因为工作频率异常而烧毁IGBT。 


原因7、VCE检测电路异常。VCE检测电磁炉将IGBT官集电极上的脉冲电压通过,电阻分压,取样获得去=取样电压,此电压的信息变化传到CPU,CPU监测电压的变化,做出各种相应的指令,当VCE检测电路出现故障的时候,VEC脉冲幅度。超过IGBT管的极限值,从而导致IGBT损坏。用户锅具变形,或锅低凸起不平,在锅低产生的涡流,不能均匀的使变形的锅具加热,从而使锅具温度传感器,检温失常,CPU因检测不到,异常温度信号,而继续加热,导致IGBT损坏。


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