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三极管,MOSFET, IGBT的区别?

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时间 : 2018-09-21 20:59 浏览量 : 31

三极管,MOSFET, IGBT的区别?

做开关管来用的话,这三种区别还是很明显的。简单来说就是,三极管是电流控制电流,MOS管是电压控制电压,IGBT是电压控制电流。

三极管的微观构造是两个PN结,Vbe就是一个PN结的压降大约0。7V,用一个小电流Ib来控制一个大电流Ic。基极电流一般是毫安级别。

MOS管的微观构造是一块半导体上有一个绝缘层,这个绝缘层的厚度是根据栅极电压变化的,就像一个闸门一样,栅极电压越高闸门开的越大,一般栅压Vgs在10V左右,不超过20V,也有专门的低栅压mos,栅压5V就能完全打开,由于栅极是绝缘的,所以电流极小,只有微弱的漏电流纳安级别。IGBT类似上述两者的结合,用电压来控制PN结,适合大电流应用,几十几百安培级别。(英飞凌igbt厂家

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