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英飞凌EiceDRIVER™驱动碳化硅(SiC) MOSFET

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深圳逸盛通科技河北快3走势图

时间 : 2018-10-22 21:04 浏览量 : 33

英飞凌EiceDRIVER™驱动碳化硅(SiC) MOSFET

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碳化硅(SiC) MOSFET具有极佳的快速开关性能,英飞凌提供1200伏的CoolSiC™ 碳化硅(SiC) MOSFET以供客户选择。

 

英飞凌的隔离型门极驱动,基于无铁芯变压器技术,以其强大的驱动能力和保护功能而著称,可以轻松地驱动1200伏的碳化硅(SiC) MOSFET,并提供可靠的电气隔离。想要了解更多英飞凌隔离型门极驱动的信息,请参考英飞凌门极驱动选型指南。

 

以下这些驱动芯片拥有许多驱动碳化硅(SiC) MOSFET的关键优势,极短的传输延迟,精准的通道间匹配和输入滤波,超宽的输出范围和负电压驱动能力,以及极佳的共模瞬变抗扰度(CMTI)。

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产品特性

  • 提供3.8 mm的DSO-8窄体封装,及7.6 mm爬电距离的DSO宽体封装

  • 能够在高温环境下工作

  • 提供有源米勒钳位功能

  • 提供短路电流钳位与有源安全关断

  • 共模瞬变抗扰度(CMTI)高于100 kV/μs

  • 精准的退饱和保护功能(DESAT)

  • 欠压锁定额定阈值为 12 V/11 V

     

推荐的门极驱动芯片(英飞凌igbt厂家


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