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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT FF200R33KF2C 200A 3300V
产品描述

详细资料

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 3300 V 

集电极射极饱和电压: 3.4 V 

在25 C的连续集电极电流: 330 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 2.2 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 73 mm   

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 4只

FF200R33KF2C IGBT 的工作原理和工作特性 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给 PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同,只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ,所以具有高输 入阻抗特性。 当 MOSFET 的沟道形成后,从 P+ 基极注入到 N 一层的空穴(少子),对 N 一 层进行电导调制,减小 N 一层的电阻,使 IGBT 在高电压 时,也具有低的通态电压。


由于报错信号SO的管脚直接连到ASIC中,其内部为漏极开路电路,因此这个管脚对噪声比较敏感。如果有噪声进入这个管脚,CMOS工艺的ASIC可能会出现闩锁效应,导致错误出现。

如下图所示,上拉电阻R4放在控制器一侧,中间用长线连接至驱动器,在没有故障的情况下 在没有故障的情况下,SO管脚呈现高阻状态。且连接线越长,SO脚对噪声越敏感。


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对于SO信号的处理,有以下方法:

1. SO信号必须有明确的电位,最好就近上拉;

2. SO信号 过长线传输时 经过长线传输时,可以考虑配合门电路,以提高电压信号抗扰能力,且接收端要配合阻抗合适的下拉电阻;

3. SO接10欧姆电阻,再用肖特基二极管做上下拉钳位保护;控制器端用电阻上拉

注意事项:

1. 如果用二极管串联至SO信号取“或”,必须先上拉再取 必须先上拉再取“或”,因为 极管平 二常是开路的,SO信号电位不确定。

2. SO是漏极开路电路,不同的SO可以直接短接进行“线与”。


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