欢迎来到深圳逸盛通科技河北快3走势图官方网站!
打开客服菜单
Product classification

产品中心

contact us

联系我们

英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 BSM100GB170DLC 100A 1700V
产品描述

基本参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2。6 V 

在25 C的连续集电极电流: 200 A 

栅极射极漏泄电流: 200 nA 

功率耗散: 960 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只


IGBT保护方法

  当过流情况出现时,IGBT必须维持在短路安全工作区(SCSOA)内。IGBT承受短路的时间与电源电压、栅极驱动电压以及结温有密切关系。为了防止由于短路故障造成IGBT损坏,必须有完善的故障检测与保护环节。一般的检测方法分为电流传感器和IGBT欠饱和式保护。

  1)封锁驱动信号

  在逆变电源的负载过大或输出短路的情况下,通过逆变桥输入直流母线上的电流传感器进行检测。当检测电流值超过设定的阈值时,保护动作封锁所有桥臂的驱动信号。这种保护方法最直接,但吸收电路和箝位电路必须经特别设计,使其适用于短路情况。这种方法的缺点是会造成IGBT关断时承受应力过大,特别是在关断感性超大电流时,必须注意擎住效应。

  2)减小栅压

  IGBT的短路电流和栅压有密切关系,栅压越高,短路时电流就越大。在短路或瞬态过流情况下若能在瞬间将vGS分步减少或斜坡减少,这样短路电流便会减小下来,当IGBT关断时,di/dt也减小。集成驱动电路如EXB841 或M579xx系列都有检测vCES电路,当发现欠饱和时,栅压箝位到10V左右,增大vCES,限制过电流幅值,延长允许过流时间。

  整流拉逆变式组合保护方案

  1、逆变部分保护

  本设计逆变器为半桥式结构,串联谐振负载,驱动采用IR公司的IR2110 半桥驱动芯片。IR2110电路简单,成本低,适用于中大功率IGBT,实验结果也验证了IR2110驱动中大功率IGBT的可行性。IR2110芯片有一个封锁两路驱动的SD输入端,当此引脚为高电平时,立刻封锁两路输出。

其他产品
江苏快3网 江苏快3平台 河北快3 139彩票 2m彩票官网 多盈彩票平台 118彩票 128彩票投注 170彩票app 265彩票