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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 BSM150GB170DLC 150A 1700V
产品描述

基本参数

制造商: 英飞凌

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2。6 V 

在25 C的连续集电极电流: 300 A 

栅极射极漏泄电流: 200 nA 

功率耗散: 1.25 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30。5 mm  

长度: 106。4 mm  

宽度: 61。4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只


门极电压:关断电压-Vge或0V

用-Vge(-5V…-15V)使IGBT 关断更可靠,有利于防止误 开通。 „ 

用0V关断,可考虑采用有源 米勒箝位使关断更可靠(见 后页“驱动与保护”)。 „ 

用0V…+15V开关时,门极电 荷较小(以600V IGBT3为例, Qg为-15V…+15V时的40%), 门极驱动电流较小。 „ 

用0V关断时,toff和Eoff较 大(以600V IGBT3为例: toff为-15V时的2-3倍,Eoff 比-15V时增加约10%)。 

注意:Vge规格-最大允许值 ±20V


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门极电阻 „ 

Rg对开通影响大,表现在以下几个方面: - 开通能耗(Eon) - IGBT的电流尖峰(续流二极管的反向恢复电流) - dv/dt „

Rg对关断影响不明显,表现在以下几个方面: - 关断能耗(Eoff) - di/dt(主要由芯片技术决定,Rg很大时才有影响) - dv/dt „ 

Rg对开通和关断延时都有影响

Rg下限:规格书中的测试条件 „ 

Rg上限:IGBT损耗/发热,死区时间 „ 

功率计算(假设驱动功耗都消耗在 Rg上): Pg = ∆Vge × Qg × fsw × 2 其中:∆Vge = Vcc - Vss Qg = ∆Vge/30 × QG QG:见规格书(-15V…+15V) fsw:开关频率 „ 

IGBT并联时,建议每个IGBT一个Rg (共用一个驱动器),以减小IGBT 内置门极电阻值误差对开关一致性 的影响。


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