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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 BSM200GAL120DN2 200A 1200V
产品描述

详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2。5 V 

在25 C的连续集电极电流: 290 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1.4 kW  

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

高度: 30.9 mm  

长度: 106。4 mm  

宽度: 61。4 mm  

栅极发射极最大电压: 20 V  

包装数量: 10只


由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。

因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:

在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;在用导电材料连接模块驱动端子时,

在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。

为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。

这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。

众所周知,变频器在工业领域应用非常广泛,而目前,随着节能环保理念逐渐成为一种趋势的情况下,对变频器提出了更高的要求。

基于对中国市场客户需求的理解,英飞凌推出全新Advantage 系列IGBT产品,该系列产品针对中国企业的需求,同时对产品性能和可靠性进行了优化,为中国变频器厂家在不同场景下的差异化需求提供了高性价比的解决方案。


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