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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FF300R17KE4 300A 1700V
产品描述

详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2。45 V 

在25 C的连续集电极电流: 440 A 

栅极射极漏泄电流: 100 nA 

功率耗散: 1800 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只


位于17mm IGBT模块上方的2SC0108T和2SC0435T

17mm 的IGBT模块在电力电子应用中越来越流行。Fuji、Infineon、IXYS、Mitsubishi、Semikron和DanfossSilicon Power等众多生产厂商在市场上供应多种17mm封装的IGBT模块。

建议不要直接在IGBT模块上面使用2SC0108T或2SC0435T驱动器,特别是在17mm IGBT模块上面。开通和关断瞬间以及特别是在IGBT短路期间的磁场耦合可能会造成驱动器失灵。


AC和DC母线

由于三明结构,层叠直流母排通常产生较低的外部磁场和电场。因此,只要绝缘和电气间隙充足,门极驱动器可位于直流母排的上方或下方。

但是,涉及交流输出或桥臂输出母排的情况则有所不同。输出电流在输出母线周围产生磁场,电场的变化速度通常很高。如果驱动器直接放置在AC母排上方或下方,可能需要进行屏蔽。

这可以采用铁板(用于低频屏蔽)或厚铝板或铜板(用于高频屏蔽)。流经屏蔽层的涡流电流将会部分补偿驱动器附近产生的磁场。

但是,通常建议AC母排和驱动器保持一个最小距离(通常几厘米就已足够),以降低磁场对驱动器的影响。一般来说,导通的电流与信号电子元件的相互距离越近,发生电磁影响的风险越高。 


这种可以用数字信号控制的强电开关还有很多种。作为其中的一员,IGBT的特点是,在它这个电流电压等级下,它支持的开关速度是最高的,一秒钟可以开关几万次。

GTO以前也用在轨道交通列车上,但是GTO开关速度低,损耗大,现在只有在最大电压电流超过IGBT承受范围才使用;IGCT本质上也是GTO,不过结构做了优化,

开关速度和最大电压电流都介于GTO和IGBT之间;大功率mosFET快是快,但不能支持这么大的电压电流,否则会烧掉。


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