欢迎来到深圳逸盛通科技河北快3走势图官方网站!
打开客服菜单
Product classification

产品中心

contact us

联系我们

英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FS300R17KE3 300A 1700V
产品描述

详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.45 V 

在25 C的连续集电极电流: 375 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1650 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

封装: Tray 

高度: 17 mm  

长度: 162 mm  

宽度: 150 mm   

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 4只


IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的 关系曲线。它与 MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电 压 Ugs(th) 时, IGBT 处于关断状 态。在 IGBT 导通后的大部分漏极电 流范围内, Id 与 Ugs 呈线性关系。最高栅源电 压受最大漏极电流限 制,其最佳值一般取为 15V 左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。 IGBT 处于导通态时,由于 它的 PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其 B 值 极低。尽管等效电路为达林顿结构,但 流过 MOSFET 的电流成为 IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh ( 2 - 14 ) 式中 Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为 0.7 ~ IV ; Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降; Roh ——沟道电阻。 通态电流 Ids 可用下式表示: Ids=(1+Bpnp)Imos (2 - 15 ) 式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流。

由于 N+ 区存在电导调制效应,所以 IGBT 的通态压降小,耐压 1000V 的 IGBT 通态压降为 2 ~ 3V 。


其他产品
八马彩票 江苏快3APP 118彩票 265彩票 江苏快3开奖结果 丰大彩票app 166彩票 众赢彩票平台 汇丰彩票首页 139彩票