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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FZ2400R12KF4 2400A 1200V
产品描述

详细参数


制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 1.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 2400 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 10 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 48 mm  

长度: 190 mm  

宽度: 140 mm    

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 1只


怎样科学准确地确定驱动电阻和门极电容

双脉冲实验中,可以准确地观察到半导体芯片在某种温度下的开 通或者关断行为,与真实的某种应用相比,其结果具有极高参考 价值,可以这样说,在该实验中表现出来的行为,就是IGBT在实 际应用中的行为。 1. 在做开通测试时,IGBT的开通速度,会极大地影响二极管的安 全程度 及损耗的大小 可以据此调整出合适的开通电阻 2. 在做关断测试时,IGBT的关断速度,可以决定IGBT是否超出 RBSOA (安全工作区 ) 及损耗的大小 可以据此调整出合适的 全程度,及损耗的大小,可以据此调整出合适的开通电阻Rgon; RBSOA (安全工作区 ),及损耗的大小,可以据此调整出合适的 关断电阻Rgoff; 3.门极电容 C g e对于不同的IGBT,有很不一样的影响,不是所有IGBT 都需要Cge,不能盲目添加,通过校核开通及关断来确定其取值是最 为科学的方法;


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